第二届湖北专利奖近日揭晓，武汉拓材科技有限公司“一种涂覆于石墨坩埚表面对金属液的润湿性可控的碳化硅涂层”专利斩获金奖。该技术通过创新涂层工艺，解决了高纯材料制备中的关键难题，推动我国半导体基础材料实现自主突破。
作为国家级葛店经开区高新技术企业，拓材科技专注高纯半导体材料研发生产。此次获奖专利通过在石墨坩埚表面涂覆碳化硅涂层，将高纯金属材料纯度稳定提升至7N（99.99999%）以上，部分产品突破8N级别，一举解决传统工艺中坩埚污染导致的纯度损失问题。目前，该技术已应用于半导体芯片、太阳能电池等领域，使相关设备使用寿命延长3倍，生产成本降低40%。
依托与武大、华科等高校的产学研合作，公司建成万级净化车间及精密检测平台，累计获得专利40余项，7N以上超高纯材料技术达国际领先，打破了高纯镓、铟等材料长期依赖进口的局面。2024年12月开工的10亿元总部基地项目，将建成国内最大高纯半导体材料生产基地，预计年产各类材料1000吨，年产值20亿元，为“光芯屏端网”产业提供核心材料支撑。
“这项技术让国产高纯材料成本较进口降低40%以上。”企业负责人介绍，项目达产后可满足国内半导体、新能源领域战略需求，推动产业链关键环节自主可控。此次获奖是对企业十年攻关的肯定，也为湖北半导体产业集群建设注入新动能。